Regensburg 2000 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 37: GaN II
HL 37.6: Talk
Thursday, March 30, 2000, 17:15–17:30, H15
Elektronenspinresonanz an Silizium-dotiertem AlxGa1−xN — •T. Graf, M. W. Bayerl, O. Ambacher, M. S. Brandt und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, TU-München, Am Coulombwall, 85748 Garching
Flache Störstellen werden in Halbleitern erfolgreich mit der Effektiv-Masse-Theorie beschrieben. Aus Messungen der effektiven Masse und der g-Faktoren können dann mit Hilfe dieser Theorie Rückschlüsse auf die Bandstruktur (Bandlücken, Spin-Bahn-Aufspaltung) und Übergangsmatrixelemente gezogen werden.
Wir stellen erste Messungen von g-Werten des flachen Silizium-Donators in AlGaN-Legierungen mit Wurtzit-Struktur vor, die sich über den gesamten Bereich von reinem GaN bis zu reinem AlN erstrecken. Für Legierungen mit weniger als 40% Al-Gehalt konnten die bekannten g-Faktoren von intrinsischen Effektiv-Masse-Donatoren bestätigt werden. Die experimentellen g-Werte aller Legierungen zwischen reinem GaN mit g||=1.9483 und g⊥=1.9510 (parallel und senkrecht zur kristallografischen c-Achse) und reinem AlN mit einem isotropen g-Wert von 1.9985 lassen sich bereits in einem kubischen, also isotropen Modell recht gut beschreiben. Um auch die beobachteten Anisotropien berücksichtigen zu können wurden die g-Faktoren in einem 6-Band k· p Modell für die Wurtzit-Struktur berechnet und Abschätzungen für die relevanten Bandparameter gegeben.