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HL: Halbleiterphysik

HL 37: GaN II

HL 37.8: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 17:45–18:00, H15

Surfactant-modifiziertes MBE-Wachstum von GaN — •C.  Kruse, S. Einfeldt, V. Kirchner, S. Figge und D. Hommel — Institut für Festkörperphysik, Bereich Halbleiterepitaxie, Universität Bremen, Kufsteiner Str. NW1, 28359 Bremen

Durch die Wahl eines geeigneten Elementes als Surfactant sollte die Wachstumskinetik von GaN gezielt beeinflussbar sein. Entscheidend dafür ist die Existenz einer stabilen Surfactant-Monolage auf der Oberfläche während des epitaktischen Wachstums, die nicht unerwünscht in den Volumenkristall eingebaut oder durch Desorption abgebaut wird. RHEED-Intensitätsänderungen wurden ausgewertet, um das Desorptionsverhalten von In und Bi von der (0001)-polaren GaN-Oberfläche zu vermessen: Danach ist eine In-Bedeckung für Temperaturen oberhalb 600^∘C instabil, wobei die Desorptions-Zeitkonstante mit steigender Temperatur monoton fällt. Mit Hilfe von XPS wurde nach Abkühlung auf Raumtemperatur die In-Akkumulation unter verschiedenen Bedingungen zu Bruchteilen von Monolagen bestimmt. Mit den daraus gewonnenen Informationen wurden unter geeigneten Parametern und Verwendung von Surfactants GaN-Schichten auf GaN-MOVPE-Templates gewachsen und mit Hilfe verschiedener Verfahren wie AFM, XRD, Hall und PL charakterisiert.