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HL: Halbleiterphysik

HL 37: GaN II

HL 37.9: Talk

Thursday, March 30, 2000, 18:00–18:15, H15

Elastic Recoil Detection an InGaAsN Quantum Wells — •Lutz Görgens¹, Günther Dollinger¹, Andreas Bergmaier¹, H. Riechert² und A. Yu. Egorov² — ¹Physik-Department E-12, TU-München — ²Infineon technologies, 81739 München

Mit seinem sehr starken negativen Bowing der Bandlücke zwischen InGaAs und entsprechendem kubischen InGaN, stellt das quaternäre System InGaAsN ein interessantes Material für Leucht- und Laserdioden mit einer Emissionswellenlänge bei 1.3 µ m dar. InGaAsN QW-Strukturen zeigen stimulierte Emission bei optischem Pumpen, diese ist aber stark von vorherigem Tempern und auch der Betriebsdauer irreversibel abhängig.

Um diese Abhängigkeit zu kären wurden InGaAsN/GaAs Multiquantenwells, so wie GaAsN und InGaAsN Schichten mit ERD (Elastic Recoil Detection) untersucht. Die Schichten wurden quantitativ auf ihre Zusammensetzung inklusive unbeabsichtigter Dotierung untersucht. Gleichzeitig wurden Tiefenprofile für jedes Element erstellt. Zur Bestimmung des Diffusionsverhaltens der Elemente N und In und der Verunreinigungen wurden Messungen an ’as grown’ und getemperten Schichten durchgeführt. Es konnte keine Änderung im Gehalt für In und N durch den Temperschritt festgestellt werden, allerdings ergab sich eine deutliche Reduzierung der Verunreinigungen in der Struktur.