Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.10: Poster

Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B

Nichtlineare akusto-elektrische Wechselwirkung durch ein lichtinduziertes Plasma in einem Halbleiter-Quantentopf — •H.-J. Kutschera¹, A. V. Kalameitsev², A. O. Govorov² und A. Wixforth¹ — ¹CeNS und Sektion Physik der LMU, Geschwister-Scholl-Platz 1, 80539 München — ²Institute of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk -90, Russia

Es wurden theoretische und experimentelle Untersuchungen zur Wechselwirkung zwischen Oberflächenwellen (OFW) und einem photo-generierten Elektron-Loch-Plasma in einem InGaAs/GaAs Quantentopfsystem durchgeführt.
Mit Hilfe hydrodynamischer Gleichungen kann für ein 2D-Elektron-Loch-Plasma theoretisch gezeigt werden, daß in einem Quantentopf unter Interband-Laser Anregung eine Absorption der Oberflächenwelle und eine Verschiebung der Schallgeschwindigkeit in Abhängigkeit von der OFW-Intensität stattfindet . Das gefundene Verhalten unterscheidet sich grundsätzlich von dem eines unipolaren Elektronensystems [1]. In einem photo-generierten Plasma kann die akusto-elektrische Wechselwirkung im Gegensatz zum unipolaren Fall in den nichtlinearen Bereich vordringen. Die Absorption steigt mit hohen OFW-Intensitäten und dementsprechend fällt die OFW-Geschwindigkeit als eine Funktion der Intensität. Diese starken nichtlinearen Effekte entstehen durch eine Akkumulation von Elektron-Loch Paaren im Potential einer intensiven OFW.

[1] Rotter et al., Phys. Rev. Lett. 82, 2171 (1999)