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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.11: Poster

Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B

Herstellung lateraler Dotierungsübergitter mittels fokussiertem Laserstrahl — •C. Stocken¹, R. A. Deutschmann¹, W. Wegscheider², M. Bichler¹ und G. Abstreiter¹ — ¹Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, 85748 Garching — ²Institut für Angewandte und Experimentelle Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg

Wir berichten über eine neuartige Methode der Herstellung von lateralen elektronischen Übergittern. Auf die Oberfläche einer n-typ GaAs/AlGaAs Heterostruktur wird ein akzeptorhaltiger Dotierfilm aufgebracht. Durch lokales Erhitzen mit einem optimal fokussierten Laserstrahl wird eine kontrollierte Eindiffusion der Akzeptoren induziert und eine räumlich begrenzte p-typ Gegendotierung erzeugt. Konzentration und Tiefe der Gegendotierung bestimmen die Stärke der Potentialmodulation für das Elektronensystem. Messungen bei tiefen Temperaturen an so erzeugten eindimensionalen Übergittern zeigen, dass bei schwacher Potentialmodulation die Elektronenbeweglichkeit nicht wesentlich abnimmt. Weiss-Oszillationen des longitudinalen Magnetowiderstandes werden sowohl senkrecht als auch parallel zu den Potentialmodulationen beobachtet. Die Periodenlänge der Oszillationen zeigt die erwartete Zunahme mit der Elektronendichte. Durch die Möglichkeit, nicht nur die laterale Struktur sondern auch die Stärke der Modulation zu bestimmen, eröffnen sich Wege für neuartige laterale Übergitter.