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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)
HL 38.12: Poster
Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B
Magnetotunneln durch Dreifachbarrierenstrukturen unterschiedlicher Kopplungstärken — •J. Könemann1, P. König1, T. Schmidt1, R. J. Haug1 und A. Förster2 — 1Inst. f. Festkörperphysik, Uni Hannover — 2Inst. f. Schicht- und Ionentechnik, FZ Jülich
Wir haben an vertikalen Dreifachbarrierenstrukturen resonantes
und Einzelelektronentunneln gemessen. Die Proben bestehen
aus zwei 4 nm dicken äußeren AlAs-Tunnelbarrieren,
einer 3 bzw. 4 Monolagen dicken mittleren AlAs-Tunnelbarriere,
zwei 6 nm dicken GaAs-Quantentöpfen, 20 nm großen
Spacerschichten und mit einer Si-Konz. von 2· 1018
cm−3 dotierten Zuleitungen, wobei der Durchmesser der
Tunneldioden jeweils 10 nm ist. Die Kennlinien zeigen beim
resonanten Tunneln wegen der Kopplung der Quantentöpfe zwei
Peaks, die die symmetrische bzw. antisymmetrische
Wellenfunktion der gekoppelten Töpfe darstellen. Beim ersten
Peak liegt eine rein kohärente Kopplung vor, während beim
zweiten Peak Relaxationsprozesse zwischen den Energieniveaus
den Peakstrom *berhöhen. Die Kopplung wurde durch
Magnetotunneln untersucht. Man findet am Einsatzpunkt der
Kennlinie störstelleninduziertes Einzelelektronentunneln, das
im Magnetfeld bis 17 T und in der Temperatur zwischen 20 mK
und 700 mK untersucht wurde. Hierbei beobachtet man Fluktuationen
der lokalen Zustandsdichte.