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Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.12: Poster

Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B

Magnetotunneln durch Dreifachbarrierenstrukturen unterschiedlicher Kopplungstärken — •J. Könemann1, P. König1, T. Schmidt1, R. J. Haug1 und A. Förster21Inst. f. Festkörperphysik, Uni Hannover — 2Inst. f. Schicht- und Ionentechnik, FZ Jülich

Wir haben an vertikalen Dreifachbarrierenstrukturen resonantes

und Einzelelektronentunneln gemessen. Die Proben bestehen

aus zwei 4 nm dicken äußeren AlAs-Tunnelbarrieren,

einer 3 bzw. 4 Monolagen dicken mittleren AlAs-Tunnelbarriere,

zwei 6 nm dicken GaAs-Quantentöpfen, 20 nm großen

Spacerschichten und mit einer Si-Konz. von 2· 1018

cm−3 dotierten Zuleitungen, wobei der Durchmesser der

Tunneldioden jeweils 10 nm ist. Die Kennlinien zeigen beim

resonanten Tunneln wegen der Kopplung der Quantentöpfe zwei

Peaks, die die symmetrische bzw. antisymmetrische

Wellenfunktion der gekoppelten Töpfe darstellen. Beim ersten

Peak liegt eine rein kohärente Kopplung vor, während beim

zweiten Peak Relaxationsprozesse zwischen den Energieniveaus

den Peakstrom *berhöhen. Die Kopplung wurde durch

Magnetotunneln untersucht. Man findet am Einsatzpunkt der

Kennlinie störstelleninduziertes Einzelelektronentunneln, das

im Magnetfeld bis 17 T und in der Temperatur zwischen 20 mK

und 700 mK untersucht wurde. Hierbei beobachtet man Fluktuationen

der lokalen Zustandsdichte.

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