Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)
HL 38.20: Poster
Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B
Linienformanalyse an Modulations- und Anregungsspektren von zweidimensionalen Elektronen- und Löchergasen — •A. Herasimovich1, S. Shokhovets1, R. Goldhahn2, G. Gobsch2 und M. Henini3 — 1Minsk, Skaryna Prosp. 65, 220027 Minsk, Belarus — 2Institut für Physik, TU Ilmenau, Weimarer Str. 32, D-98693 Ilmenau — 3University of Nottingham, Department of Physics, University Park, Nottingham NG7 2RD, United Kingdom
Es wurden Elektroreflexion-, Photolumineszenz- und Photolumineszenz-anregungsuntersuchungen an n- und
p-dotierten Schottky-Gate GaAs/AlGaAs Single-Quantum-Well-Strukturen im Temperaturbereich 1.5-80 K
durchgeführt. Die Analyse der Linienform und der energetischen Lage der optischen Übergänge unter
Berücksichtigung des Stark-Effektes und der Band-Gap-Renormierung ergibt den Beitrag von freien
Exzitonen und Exzitonenkontinuums zur Resonanzabsorption und Emission. Dieser Beitrag wird in
Abhängigkeit von der Ladungsträgerdichte und der Temperatur diskutiert. Die Dichten des Elektronen-
bzw. des Löchergases im Quantum Well werden dabei mit Hilfe der Gatespannung kontinuierlich von
nahezu Null bis 5*1011 cm -2 variiert.