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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.21: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Ordnungsphänomene und biaxiale Verspannung in Quantenfilmen aus GaInP — •J. Shao, E. Baars, A. Dörnen, R. Winterhoff und F. Scholz — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart

In GaInP treten je nach Epitaxiebedingungen ausgeprägte Ordnungsphänomene auf, wobei abwechselnd Gallium- auf Indium-reiche Gruppe-III-Schichten folgen. Dies führt zu einer Aufspaltung des Valenzbands einerseits sowie zu einer Reduktion der Bandlücke andererseits.

Mittels magnetooptischer Reflexionsspektroskopie untersuchen wir die diamagnetische Verschiebung des Exzitons in GaInP/AlGaInP-Quantenfilmen, um die Konsequenzen der Ordnungsphänomene auf die reduzierte Masse µ des Exzitons zu bestimmen. Hierzu verwenden wir Quantenfilme, die infolge der Komposition zusätzlich biaxial zur Wachstumsrichtung verspannt sind. Anhand unterschiedlicher Proben studieren wir den wechselseitigen Einfluß von Ordnung und kompositionsabhängiger Verspannung auf µ. In der Analyse des Valenzbands berücksichtigen wir beide Effekte gemäß dem Ansatz von Wei und Zunger [1] im Rahmen einer 6-Band-Kohn-Luttinger-Rechnung für Spin-Bahn-gekoppelte Valenzbandzustände des Quantenfilms. Experimentell finden wir in druckverspannten Quantenfilmen eine schwerere Masse des Schwer-Loch-Exzitons, wenn geordnetes GaInP vorliegt, in Übereinstimmung mit unseren Berechnungen. Außerdem zeigt der Vergleich mit Magneto-Lumineszenz, daß die Emission aus lokalisierten Zuständen erfogt.

[1] S. H. Wei and A. Zunger, Phys. Rev. B, 49, 14337 (1994).