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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.40: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Herstellung und Charakterisierung von Oxiden und Oxinitriden auf höchstreinem Silizium für Strahlungsdetektoren — •Andreas Pahlke^1,2, Josef Kemmer¹, Lothar Strüder¹, Heike Soltau¹ und Henning von Philipsborn² — ¹MPI-Halbleiterlabor, Otto-Hahn-Ring 6, 81739 München — ²Universität Regensburg, Universitätsstraße 31, 93053 Regensburg

Die Strahlungshärte von Silizium-Strahlungsdetektoren ist für den zukünftigen Einsatz in der Hochenergiephysik, der extraterrestrischen Forschung und in der Analytik von großer Bedeutung. Die Strahlungshärte wird wesentlich von der Qualität der Grenzfläche zwischen Oxid und Silizium beeinflußt.

Es wurde untersucht, ob die Anzahl der freien Grenzflächenvalenzen durch Vermeiden von Feuchtigkeit reduziert werden kann und ob es gelingt, stark gebundenen Stickstoff anstelle des schwach gebundenen Wasserstoffs an der Grenzfläche einzubauen. Durch einen Vakuumprozeß und dem damit verbundenen Ausschluß von Feuchtigkeit läßt sich die Dichte der Grenzflächenzustände um einen Faktor zwei bis drei reduzieren. Auch der Einbau von Stickstoff an der Grenzfläche durch einen Temperschritt des thermischen Oxids in NO-Atmosphäre gelang selbst bei Oxiddicken bis zu 200 nm. Die experimentelle Prüfung, ob beide Verbesserungen die Strahlungshärte von Silizium-Strahlungsdetektoren erhöhen, ist in Arbeit.