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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.44: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Das Wachstum von Niob auf InAs(110) — •CHRISTIAN MEYER, JENS WIEBE, MARKUS MORGENSTERN und ROLAND WIESENDANGER — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr.11, D-20355 Hamburg, Germany

Mittels Tieftemperatur-Rastertunnelspektroskopie soll die elektronische Struktur von Supraleiter/Halbleiter-Grenzflächen untersucht werden. Hierzu werden Niob-Inseln in der Größe der Kohärenzlänge des Supraleiters (40 nm) auf InAs deponiert. Zunächst bietet sich die bei konventioneller MBE auftretende natürliche Inselbildung als Herstellungsprozess an. Die Abhängigkeit der Inselform und Größenverteilung von Wachstumstemperatur, Wachstumsrate und Bedeckung wurde daher mit Hilfe eines spez. Wachstumsrastertunnelmikroskops (1) untersucht. Die untersuchte Bedeckung umfaßt den Submonolagenbereich, wobei die Substrattemperatur von Raumtemperatur bis 200^∘C variiert wurde. Neben der Charakterisierung der Inselformen mit STM wurde Reinheit und atomare Anordnung mit Augerelektronenspektroskopie und LEED überprüft.
(1) Ch.Witt, U. Mick, M. Bode and R. Wiesendanger, Rev. Sci. Instrum. 68 1455 (1997)