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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)
HL 38.49: Poster
Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B
Theoretische Untersuchung von ultradünnen InAs-Schichten in GaAs und InP-Schichten in GaP — •Heidemarie Schmidt1, Georg Böhm2 und Rainer Pickenhain1 — 1Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig — 2IOM Leipzig, Permoserstraße 15, 04303 Leipzig
Lichtemitter aus III-V-Halbleitern mit Quantendimensionsschichten im aktiven Gebiet sind von großer aktueller Bedeutung [1]. Die Effekte von ultradünnen Schichten, deren Dicke nur wenige Monolagen (ML) beträgt, sind jedoch sehr wenig verstanden. Wir untersuchen InAs-Schichten in GaAs-Umgebungsmaterial und InP-Schichten in GaP-Umgebungsmaterial, deren Dicke 1 bzw. 2 ML beträgt, theoretisch mittels der Pseudopotential-Methode in Superzell-Näherung. In Übereinstimmung mit PL- und SE-Untersuchungen [2,3] ist die berechnete energetische Lage der direkten Bandlücke des Umgebungsmaterials mit zunehmender Schichtdicke rotverschoben. Es wird gezeigt, daß durch den Einbau von ultradünnen InAs-Schichten in der Bandlücke des GaAs-Umgebungsmaterials Elektronen- und Lochzustände entstehen, welche an der InAs-Schicht lokalisiert sind, und daß durch den Einbau ultradünner InP-Schichten hingegen nur lokalisierte Lochzustände im GaP-Umgebungsmaterial induziert werden.
[1] A.R. Goni et al., Appl. Phys. Lett. 72, 1433 (1998).
[2] R. Schwabe et al., J. Appl. Phys. 77, 6295 (1995).
[3] H. Schmidt et al., Thin Solid Films 312, 354 (1998).