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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.50: Poster

Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B

Subbandstruktur von Typ II InAs-GaSb-Quantentrögen — •R. Winkler — Institut für Technische Physik III, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, 91058 Erlangen

Eine Schichtstruktur aus den Halbleitern InAs und GaSb bildet ein extremes Typ-II System, bei dem die Leitungsband-Unterkante von InAs unterhalb der Valenzband-Oberkante von GaSb liegt. In InAs-GaSb-Quantentrögen führt dies zu einer starken Durchmischung der Leitungs- und Valenzbandzustände, die sich in ungewöhnlichen elektrischen und optischen Eigenschaften bemerkbar macht [1,2].

Ich stelle selbstkonsistente Subbandrechnungen vor, bei denen die Durchmischung der Zustände im Rahmen eines Mehrband-Formalismus vollständig berücksichtigt wird.

[1] L. L. Chang, in Heterojunctions and Semiconductor Superlattices, Ed. G. Allan et al., Springer (1986).

[2] S. de-Leon et al., Phys. Rev. B 60, 1861 (1999).