Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.54: Poster

Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B

MOVPE Wachstum von A^IIIB^V-Halbleiterschichten im Monolagenbereich — •V. Gottschalch¹, R. Schwabe¹, F. Pietag¹, G. Wagner¹, H. Schmidt¹, J. Kovac² und M. Gerhardt³ — ¹Universität Leipzig, Fakultäten für Chemie und Physik, Linnéstraße 3, 04103 Leipzig — ²Technische Slovakische Universität Bratislava, Ilkovica, 81219 Bratislava, Slowakei — ³Institut für Oberflächenmodifizierung e. V., Permoserstr. 15, 04303 Leipzig

Monolagen isovalenter Schichten von A^IIIB^V-Halbleitern (AlAs, GaAs, InAs), eingebettet in unterschiedliches Barrierenmaterial (z.B. Al_xGa_1−xAs, 0 < x < 1), modifizieren die optischen und elektronischen Eigenschaften dieser Systeme. Schwerpunkt der Untersuchungen bildeten neben der Züchtung isolierter Monolagen von InAs, GaAs und AlAs die Abscheidung von Überstrukturen mit elektronisch entkoppelten, räumlich gezielt separierten Monolagen und kurzperiodische Übergitter. PL-Untersuchungen an InAs-MQW-Strukturen zeigen in Abhängigkeit vom AlAs-Gehalt des Barrierenmaterials eine Energieverschiebung in den kurzwelligen Spektralbereich. Beim Übergang zu indirektem Barrierenmaterial wurde bei tiefen Temperaturen statt der dominanten Typ-I-Lumineszenz eine deutliche Typ-II-Lumineszenz detektiert. Die Lokalisierungsenergie steigt mit dem AlAs-Gehalt. Kurzperiodische Übergitter von (InAs)₁(GaAs)_n mit unterschiedlicher Grabenbreite n wurden mittels PL (4 K) und HRXRD charakterisiert.