Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)
HL 38.61: Poster
Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B
Photodioden mit vergrabenen nano-strukturierten Schichten — •Martin Ruff1, Jörg Koch2, Peter Kiesel1, Andreas D. Wieck2 und Gottfried H. Döhler1 — 1Institut für Technische Physik I, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen — 2Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstr. 150, 44801 Bochum
Fokussed Ion Beam (FIB) ist eine Methode zur maskenlosen Implantation mit sehr hoher lateraler Auflösung. Hierbei können mit Hilfe eines ablenkbaren, fokussierten Ionenstrahls mit einem Strahldurchmesser kleiner als 50 nm Flächen beliebiger Geometrie implantiert werden. Die implantierten Schichten lassen sich gut kontaktieren und weisen Hall-Beweglichkeiten auf, die diejenigen von entsprechenden konventionell dotierten MBE-Schichten zum Teil sogar übertreffen. Das nachträgliche Überwachsen der implantierten Proben ermöglicht die Realisierung lateral nano-strukturierter, vergrabener Schichten.
Mit Hilfe dieser Methode wurden pin-Photodioden hergestellt, deren untere p-Schicht auf schmale Streifen reduziert wurden. Elektrische und elektro-optische Untersuchungen an diesen Dioden zeigen eine Reduktion der Sperrströme durch die reduzierte effektive p-n-Fläche bei gleichbleibender Photoresponsivität. Anhand eines Konzepts für extrem empfindliche Photoleitungsdetektoren wird das Potential dieser Methode im Hinblick auf neuartige Bauelementkonzepte diskutiert.