Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.64: Poster

Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B

Einzelelektronentransport in Silicon-on-Insulator Nanostrukturen — •A. Tilke, R. H. Blick, H. Lorenz und J. P. Kotthaus — Center for NanoScience, LMU München, Geschwister-Scholl-Platz 1, 80539 München

Mittels höchstauflösender Niederenergie-Elektronenstrahllithographie

und dem neuen Negativresist Calixarene definieren wir laterale Strukturgrösen im Bereich von 10 nm [1]. Überträgt man diese Resistmaske in einen undotierten oder hochdotierten Silicon-on-Insulator Film, erhält man entweder hochdotierte Siliziumnanostrukturen, die metallische Coulombblockade Oszillationen aufweisen [2] oder induziert Quantenpunkte im zweidimensionalen Elektronensystem eines Inversionsfeldeffekttransistors [3]. Diese Bauelemente zeigen Einzelelektronentunneln bis zu Temperaturen zwischen 100 und 300 K.

[1] A. Tilke, M. Vogel, F. Simmel, A. Kriele, R. H. Blick, H. Lorenz, D. A. Wharam und J. P. Kotthaus, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1594 (1999)

[2] A. Tilke, R. H. Blick, H. Lorenz, J. P. Kotthaus und D. A. Wharam, Appl. Phys. Lett. in press (1999)

[3] A. Tilke, L. Pescini, R. H. Blick, H. Lorenz und J. P. Kotthaus, eingereicht bei Appl. Phys. A (1999)