Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 43: III-V Halbleiter
HL 43.11: Talk
Friday, March 31, 2000, 13:00–13:15, H13
Optische Spektroskopie an AlN/GaN Quantendot-Strukturen auf Silizium- und Saphir-Substraten — •M. Dietrich1, M. Reshchikov2, H. Morkoc2 und A. Hoffmann1 — 1Inst. f. Festkörperphysik, TU-Berlin — 2VCU Dept. of Electrical Engineering, Richmond VA, USA
GaN und seine Mischverbindungen sind im Bereich
der Halbleiterphysik potentiell die wesentlichen
Ausgangsmaterialien für optische Bauelemente im grünen bis
ultravioletten Spektralbereich. Temperaturstabile Laser mit
geringen Schwellstromdichten können durch Quantendot-Strukturen
(QD-Strukturen) realisiert werden. Es wurden AlN/GaN-QD-Strukturen
untersucht, die durch Stranski-Krastanov-Wachstum auf Silizium-
und Saphir-Substarten gewachsen wurden. Beide QD-Strukturen
besitzen eine 1-2 µm dicke GaN-Bufferschicht. Die
Inselgröße wurde mittels hochauflösender
Transmissionselektronen-Mikroskopie auf >15 nm bestimmt. Zur
Bestimmung der optischen Eigenschaften wurden temperaturabhängige
Photolumineszenz-Messungen (PL) und
Photolumineszenz-Anregungsspektroskopie an diesen Proben
durchgeführt. Die temperaturabhängigen PL-Messungen zeigen,
daß die QD-Struktur bis in den Raumtemperaturbereich bei
beiden Konfigurationen stabil bleibt.