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HL: Halbleiterphysik
HL 43: III-V Halbleiter
HL 43.12: Vortrag
Freitag, 31. März 2000, 13:15–13:30, H13
In-situ Reflexion und Streuung an dünnen, mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellter CuInS2-Filme auf Si. — •Wolfram Calvet, H.J. Lewerenz und Christian Pettenkofer — Hahn-Meitner Institut, Glienickerstr. 100, 14109 Berlin
CuInS2 ist als direkter Halbleiter mit einer Bandlücke von 1.53 eV sehr gut für den Einsatz in photovoltaischen Bauelementen geeignet. In diesem Vortrag werden CuInS2-Filme vorgestellt, die mittels Molekularstrahlepitaxie auf naßchemisch vorbehandelten Si-Substraten unterschiedlicher Orientierung und Dotierung hergestellt werden. Während des Wachstums wird die Reflexion und die Streuung von monochromatischer Strahlung bei 632.8nm erfasst, um das Kristallwachstum (Wachstumsdynamik und Oberflächenrauhigkeit) zu optimieren. Außerdem wird die CuInS2-Si Grenzfläche mittels Photoelektronenspektroskopie (UPS/XPS) und Elektronenbeugungsexperimenten (LEED, RHEED) untersucht, um den Einfluss unterschiedlicher Wachstumsparameter, wie Substrattemperatur und Stöchiometrie zu ermitteln. Zur weiteren Analyse werden Röntgenbeugung (XRD) und Rasterkraftmikroscopie (AFM) herangezogen. Anhand dieser Untersuchungen zeigt sich, daß wir in der Lage sind, stöchiometrische CuInS2 Filme auf n-(111)-Si bei einer Wachstumsrate von 1 Å/s und einer Substrattemperatur von 480∘C herzustellen.