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HL: Halbleiterphysik
HL 43: III-V Halbleiter
HL 43.13: Vortrag
Freitag, 31. März 2000, 13:30–13:45, H13
Atomare Defektstrukturen in MOCVD-gewachsenem CdZnTe — •Th. Agne, T. Filz, J. Hamann, V. Ostheimer, S. Lany, H. Wolf und Th. Wichert — Universität des Saarlandes, Technische Physik, 66041 Saarbrücken
Im MOCVD-Verfahren wurde der ternäre II-VI Halbleiter Cd1−xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1) als dünner Film auf einem (100) - orientierten GaAs-Substrat gewachsen.
Die vorhandenen atomaren Defektstrukturen wurden mit der
Methode der gestörten γ γ - Winkelkorrelation (PAC)
untersucht. Über Photolumineszenz-Messungen (PL) wurde die Größe
der Bandlücke in Abhängigkeit der Cd/Zn - Zusammensetzung der
kristallinen Schicht bestimmt. Zusätzlich wurden mittels EDX und
Reflexionsmessungen die Zusammensetzung und die Schichtdicke der
Kristalle analysiert.
Für die PAC-Messungen wurde die Sonde 111In/111Cd in die Schicht eindiffundiert (Tdiff = 700 K - 850 K). Nach Diffusion werden unterschiedliche Einbauplätze für die Sonde beobachtet: Der substitutionelle Donator (InM), das A-Zentrum (InM-VM) und das InM-AsTe Paar. Die Bildung von InM-AsTe Paaren ist auf die Diffusion von As aus dem Substrat zurückzuführen. Die Beobachtung der A-Zentren in unterschied- lichen Ladungszuständen, je nach Diffusionsbedingung und Cd/Zn - Zusammensetzung der kristallinen Schicht, läßt darauf schließen, dass Ga ebenfalls aus dem Substrat in die CdZnTe-Schicht eindiffundiert ist.
Eine starke Änderung in der Cd/Zn - Zusammensetzung der
Schicht zeigen Photolumineszenz-Messungen, wenn die CdZnTe-Schichten
in
einer Cd- oder Zn-Atmosphäre bei Ta = 750 K
getempert werden.