Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 43: III-V Halbleiter

HL 43.3: Talk

Friday, March 31, 2000, 11:00–11:15, H13

Mikrostrukturierung von GaAs (100) durch photochemisches Trockenätzen — •R. Flierl, F. Koch und M. Creuzburg — Universität Regensburg, Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, D-93040 Regensburg

GaAs (100)-Substrate werden vor dem Ätzprozeßthermisch oxidiert. Zur in-situ Überwachung des Desoxidationsprozesses dient ein RHEED-System. Es besteht die Möglichkeit, mittels Molekularstrahlepitaxie definierte GaAs-Oberflächen zu schaffen. Je nach Wachstumsbedingungen resultieren unterschiedliche GaAs (100)-Rekonstruktionen, die As-reichen c(4 × 4)- bzw. (2 × 4)-Rekonstruktionen oder die Ga-reiche (4 × 2)-Rekonstruktion. Es wird der Fragestellung nachgegangen, welchen Einflußdie verschiedenen GaAs (100)-Oberflächen auf das Ätzverhalten haben. Während des Ätzvorgangs, bei dem das Substrat einem kontinuierlichen Cl₂-Gasflußausgesetzt ist und mit UV-Licht aus einer Gasentladungsröhre bestrahlt wird, wird eine Analyse der flüchtigen Ätzreaktionsprodukte mit einem Massenspektrometer vorgenommen. Die quantitative und qualitative ex-situ Charakterisierung der Ätzstrukturen geschieht mittels eines mechanischen Stylus und der Rasterelektronenmikroskopie.