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HL: Halbleiterphysik
HL 43: III-V Halbleiter
HL 43.8: Talk
Friday, March 31, 2000, 12:15–12:30, H13
Excitonen in InAs-Monolagen eingebettet in GaAs/AlGaAs-Mikroresonatoren — •Susanne Hardt1, Jurana Kvietkova1, Jaro Kovac2, Bernd Rheinlaender1, Volker Gottschalch3, Alexander Kasic1 und Gabi Benndorf1 — 1Universitaet Leipzig, Fakultaet fuer Physik und Geowissenschaften, Linnestr. 5, 04103 Leipzig — 2Slowakische Technische Universitaet Bratislava, Ilkovicova 3, 81219 Bratislava, Slowakei — 3Universitaet Leipzig, Fakultaet fuer Chemie und Mineralogie, Linnestr. 3, 04103 Leipzig
Die optischen Eigenschaften von MOVPE-gezuechteten GaAs/AlGaAs
Mikroresonatoren unterschiedlicher Guete mit mehrfach
wiederholten InAs-Monolagen (ML) wurden mittels polarisierter
Reflexion, Spektralellipsometrie, Photolumineszenz und Photostrom
untersucht. Die unterschiedlichen Spacerdicken der
Absorptionsgebiete repraesentieren die Faelle von Supergittern,
beginnender Wechselwirkung zwischen Excitonen in benachbarten ML
und MQW. Die ML-Eigenschaften wurden an unverspiegelten
Strukturen unabhaengig vom Resonatoreffekt analysiert. Zur
Untersuchung der Modenkopplung von Resonator- und Excitonenmoden
wurde die Abstimmung zwischen Resonator- und Excitonenenergie
durch den Einfallswinkel und angelegte elektrische Felder
variiert. Anhand der Analyse der dielektrischen Funktion der
Absorptionsgebiete wird das Kopplungsverhalten beschrieben und
die Oszillatorstaerke von ML-Excitonen mit denen von
herkoemmlichen Quantengrabensystemen verglichen.