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HL: Halbleiterphysik
HL 43: III-V Halbleiter
HL 43.9: Vortrag
Freitag, 31. März 2000, 12:30–12:45, H13
Optische Eigenschaften von GaN(y)As(1-y) (0<y<0,037) Einzelschichten und Übergitterstrukturen — •Gunnar Leibiger1, Bernd Rheinländer1, Volker Gottschalch2, Gerrit Kirpal2, J. Sik3 und Mathias Schubert3 — 1Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, 04103 Leipzig — 2Universität Leipzig, Fakultät für Chemie und Mineralogie, 04103 Leipzig — 3University of Nebraska, Center for Microelectronic and Optical Materials Research, Lincoln, NE, 68502, U.S.A.
Es werden die Phononen- und Bandlückenenergien im
ternären System GaN(y)As(1-y) für Kompositionen y < 0.037
bestimmt. Die GaN(y)As(1-y) Einzelschichten (d ca. 350nm)
und GaN(y)As(1-y)/GaAs Übergitterstrukturen
(Periodenabstand < 20nm) werden mittels MOVPE auf (001) GaAs
dargestellt. Deren optische Eigenschaften werden mittels
Spektralellipsometrie im Energiebereich zwischen 0.033eV und 4.5eV
bestimmt.Die Analyse der ellipsometrischen Spektren
erfolgt unter Verwendung parametrischer Modelle für die
Berechnung der Dielektrischen Funktion. Wir beobachten eine
Rotverschiebung der Bandlücke mit zunehmendem
Stickstoffgehalt. In den Einzelschichten wird neben den
GaAs-Phononenmoden die GaN-artige LO2 Mode beobachtet.
In den Supergitter-Proben beobachten wir die Effekte freier Ladungsträger.