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Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 43: III-V Halbleiter

HL 43.9: Vortrag

Freitag, 31. März 2000, 12:30–12:45, H13

Optische Eigenschaften von GaN(y)As(1-y) (0<y<0,037) Einzelschichten und Übergitterstrukturen — •Gunnar Leibiger1, Bernd Rheinländer1, Volker Gottschalch2, Gerrit Kirpal2, J. Sik3 und Mathias Schubert31Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, 04103 Leipzig — 2Universität Leipzig, Fakultät für Chemie und Mineralogie, 04103 Leipzig — 3University of Nebraska, Center for Microelectronic and Optical Materials Research, Lincoln, NE, 68502, U.S.A.

Es werden die Phononen- und Bandlückenenergien im

ternären System GaN(y)As(1-y) für Kompositionen y < 0.037

bestimmt. Die GaN(y)As(1-y) Einzelschichten (d ca. 350nm)

und GaN(y)As(1-y)/GaAs Übergitterstrukturen

(Periodenabstand < 20nm) werden mittels MOVPE auf (001) GaAs

dargestellt. Deren optische Eigenschaften werden mittels

Spektralellipsometrie im Energiebereich zwischen 0.033eV und 4.5eV

bestimmt.Die Analyse der ellipsometrischen Spektren

erfolgt unter Verwendung parametrischer Modelle für die

Berechnung der Dielektrischen Funktion. Wir beobachten eine

Rotverschiebung der Bandlücke mit zunehmendem

Stickstoffgehalt. In den Einzelschichten wird neben den

GaAs-Phononenmoden die GaN-artige LO2 Mode beobachtet.

In den Supergitter-Proben beobachten wir die Effekte freier Ladungsträger.

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