Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 44: II-VI Halbleiter
HL 44.2: Talk
Friday, March 31, 2000, 10:45–11:00, H17
Abbildung einzelner Defekte in einer ZnSe Quantentrogstruktur mittels Nahfeld-Photolumineszenz bei tiefen Temperaturen — •G. von Freymann1, D. Lüerßen1, C. Rabenstein1, M. Mikolaiczyk1, H. Richter1, H. Kalt1, Th. Schimmel1, M. Wegener1, K. Okawa2 und D. Hommel2 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe(TH), 76128 Karlsruhe — 2Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, 28334 Bremen
Durch Frank-Teilversetzungen begrenzte Stapelfehler in ZnSe / ZnMgSSe Einzelquantentrogstrukturen führen zu lokal verstärkter Quantenfilmlumineszenz[1]. Zum Verständnis der Potentialstruktur werden mittels optischer Nahfeldmikroskopie spektral aufgelöste Lumineszenzlandkarten bei T= 20 K mit 200 nm Ortsauflösung gemessen.
Durch Aufintegrieren verschiedener Spektralbereiche lassen sich Rückschlüsse auf die Ausprägung des Defektes in den verschiedenen Schichten und damit auf die Potentialstruktur ziehen. Im Barrierenmaterial führen die Frank-Teilversetzungen zu nichtstrahlender Rekombination: In der oberen ZnMgSSe-Barriere erscheinen die Durchstoßpunkte dunkel, in der unteren Barriere treten die Versetzungen als dunkle Kreuzstruktur auf. Die lokalen Dickenvariationen aufgrund des Defektes führen im Einzelquantentrog zu einem lateralen Doppeltrogpotential. Die Lumineszenz erscheint zur homogenen Quantentroglumineszenz spektral verschoben und zeigt einzelne scharfe Linien. Nichtstrahlende Rekombination kann am Einzelquantentrog nicht beobachtet werden.
[1] D. Lüerßen, R. Bleher, H. Richter, Th. Schimmel, and H. Kalt, Appl. Phys. Lett. submitted