Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 5: Quantenpunkte und Quantendr
ähte: Theorie
HL 5.7: Vortrag
Montag, 27. März 2000, 12:00–12:15, H15
Monte-Carlo-Simulation des Wachstums selbstorganisierter Quantenpunkte mit anisotroper Oberflächendiffusion — •M. Meixner1, R. Kunert1, S. Bose1, E. Schöll1, V. A. Shchukin2,3, D. Bimberg2, E. Penev4 und P. Kratzer4 — 1Institut für Theoretische Physik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin, Germany — 2Institut für Festkörperhysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin, Germany — 3Ioffe Physical Technical Institute, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg, 194021, Russia — 4Fritz-Haber-Institut der MPG, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin, Germany
Wir untersuchen das selbstorganisierte Wachstum von Quantenpunkten im Stranski-Krastanov-Wachstumsmodus in einer kinetischen Monte-Carlo-Simulation, wobei wir Effekte wie Deposition, Diffusion an der Oberfläche und Verpannungsfelder mitberücksichtigen. Die Verpannungsfelder basieren auf der kontinuumsmechanischen Beschreibung anisotroper Medien. Für die realitätsnahe Modellierung des Einflusses der Verspannung benutzen wir in Falle von InAs/GaAs(001) Ergebnisse aus ab initio Berechnungen der Bindungsenergien und Diffusionsbarrieren eines In-Atoms auf dem verspannten Kristall. In der Diskussion betrachten wir die Größenverteilung der Punkte, die räumliche Anordnung und die Form in Abhängigkeit von Wachstumsparametern wie Temperatur, Depositionsrate und Bedeckung.