Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 9: Quantendr
ähte
HL 9.2: Vortrag
Montag, 27. März 2000, 16:45–17:00, H15
Temperaturabhängigkeit von Leitwertfluktuationen in monomodigen Quantendrähten — •F. Ertl1, M. Rother1, W. Wegscheider1,2, M. Bichler1 und G. Abstreiter1 — 1Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching — 2Institut für Angewandte und Experimentelle Physik, U Regensburg, D-93040 Regensburg
Mit der Methode des Überwachsens von Spaltflächen (Cleaved Edge Overgrowth) werden hochreine eindimensionale Elektronenkanäle mit einer Breite von 250Å und Längen zwischen 5µm und 50µm hergestellt [1]. Eine Gateelektrode erlaubt die Variation der Elektronendichte und damit der Fermienergie in den Quantendrähten. Wir messen den Leitwert als Funktion der Fermienergie und der Temperatur im Bereich von 350mK bis 10K. Es werden reproduzierbare Leitwertfluktuationen beobachtet, die den Plateaus des quantisierten Leitwerts überlagert sind. Daraus ermitteln wir die Varianz dieser Leitwertfluktuationen Var(G) in Abhängigkeit der Temperatur T für monomodige Quantendrähte verschiedener Länge. Die Varianz besitzt ein von der Temperatur unabhängiges Verhalten unterhalb einer Übergangstemperatur TL. Für Temperaturen oberhalb von TL beobachten wir ein Potenzgesetz Var(G) ∼ T−α, dessen Exponent α eine charakteristische Abhängigkeit von der Länge hat. Zusätzlich zeigt sich für die Übergangstemperatur TL ein längenabhängiges Verhalten. Diese Ergebnisse werden im Rahmen des Luttinger-Flüssigkeits-Modells diskutiert.
[1] A. Yacoby et al., Phys. Rev. Lett. 77, 4612 (1996)
[2] S. R. Renn et al., Phys. Rev. Lett. 78, 4091 (1997)