Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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M: Metallphysik
M 2: Innere Grenzflächen
M 2.3: Vortrag
Montag, 27. März 2000, 10:45–11:00, H6
Spannungsinduzierte Korngrenzenbewegung — •M. Winning1, G. Gottstein1 und L.S. Shvindlerman1,2 — 1Institut für Metallkunde und Metallphysik, RWTH Aachen — 2Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Science, Russia
Eine besondere Eigenschaft von Korngrenzen ist ihre Fähigkeit, sich zu bewegen. Die Korngrenzenbewegung ist neben der Keimbildung der wichtigste Prozeß während der Rekristallisation kristalliner Werkstoffe und nimmt großen Einfluß auf die Entwicklung der Mikrostruktur und Textur metallischer Werkstoffe.
Es wird eine Methode vorgestellt, mit der es möglich ist, die Bewegung von ebenen Korngrenzen in Al–Bikristallen verschiedener Desorientierung und Reinheit zu aktivieren und in–situ zu messen. Die untersuchten Bikristalle mit (112)– und (111)–Kippkorngrenzen in einem Winkelbereich von 4∘ bis 32∘ wurden dazu einer äußeren mechanischen Spannung (10−1 bis 10−4 MPa) ausgesetzt. Die Beweglichkeit der Korngrenzen konnte über einen weiten Temperaturbereich (250∘C–600∘C)bestimmt und die Aktivierungsenthalpie aus diesen Meßwerten ermittelt werden. Es zeigt sich ein deutlicher Sprung der Aktivierungsenthalpie beim Übergang von Kleinwinkel– zu Großwinkelkorngrenze.