Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 11: Postersession (Eröffnung)
O 11.106: Poster
Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C
H induzierte Erosion und Charakterisierung dünner a-Si:H Filme auf Pt(100) — •Thomas Zecho1, Birgit Brandner1 und Jürgen Küppers2,1 — 1Experimentalphysik III, Universität Bayreuth, D-95440 Bayreuth — 2Inst. für Plasmaphysik, D-85748 Garching, EURATOM-Association
Amorphe Si-H Filme wurden nach Absättigung der Oberflächennahen Schichten eines Pt(100)-Kristalls mit Silizium und anschließender Bildung von Platinsilizid, mittels IBD aus Si2H6 bei Raumptemperatur, mit einer Dicke von 10 - 200 Monolagen, reproduzierbar abgeschieden. Die Charakterisierung der Schichten mit AES, EELS, HREELS und TDS zeigt polymerartige Filme, die sich im Temperaturbereich von 550 K - 700 K unter ausschließlicher Desorption von SiH4 und H2 verdichten. Bei Temperaturen größer 700 K löst sich die Schicht im Kristall unter Bildung von Platinsilizid. Die Erosion der Schichten wurde durch direkten Produktnachweis mittels eines differentiell gepumpten QMS verfolgt. Temperatur- und Schichtdickenabhängigkeit der H induzierten chemischen Erosion wurden untersucht.