Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 11: Postersession (Eröffnung)
O 11.27: Poster
Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C
Ab-initio Berechnung elektronischer und struktureller Eigenschaften von MoX2 (X=S,Se,Te): Volumenkristalle und (0001)-Oberflächen — •D. Voß, P. Krüger, A. Mazur und J. Pollmann — Institut für Theoretische Physik II - Festkörperphysik, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Str. 10, D-48149 Münster
Wir haben im Rahmen der lokalen Dichteapproximation der Dichtefunktionaltheorie strukturelle und elektronische Eigenschaften von Molybdändichalkogeniden berechnet. Diese Materialien bestehen aus schwach miteinander gekoppelten Schichtstapeln. Bei den Berechnungen verwenden wir normerhaltende Pseudopotentiale, welche die Spin-Bahn-Kopplung berücksichtigen, und stellen die Wellenfunktionen durch Gaußorbitale dar. Die berechneten Bandstrukturen von MoS2, MoSe2 und MoTe2 stimmen sehr gut mit neueren experimentellen Daten [1] überein. Neben Resultaten für die idealen und relaxierten (0001)-Oberflächen dieser Materialien stellen wir für MoS2 auch Untersuchungen von Punktdefekten an der Oberfläche vor. Insbesondere wird die Substitution eines Schwefelatoms durch Sauerstoff, Selen oder Tellur diskutiert. Zu den einzelnen Oberflächen präsentieren wir berechnete STM-Bilder.
[1] Th. Böker et al., Phys. Rev. B 60, 4675 (1999).