Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.7: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Ein einfaches Modell für epitaktisches Wachstum: Einfluß der Desorption — •F. Gleixner, M. Biehl und W. Kinzel — Universität Würzburg

Ausgehend von einem einfachen Modell [1] wird mit Hilfe von Computersimulationen der Einfluß der Desorption auf das 3D-Wachstum in der Molekularstrahlepitaxie untersucht.

Es konnte gezeigt werden, daß die Konkurrenz zwischen Diffusionslänge und Desorptionslänge das Wachstum der Oberflächen in zwei verschiedene Regimes mit unterschiedlichen Skalenexponenten und Morphologie unterteilt. Beim Übergang vom diffusionsbestimmten zum desorptionsbestimmten Regime fällt der Rauhigkeitsexponent von α=1 nach α=1/2 ab.

In 1+1 Dimensionen kann durch die Berechnung der Terrassenbreiteverteilung der Top-Terrasse gezeigt werden, daß allein die Desorptionsereignisse auf der Top-Terrasse die Wachstumsgeschwindigkeit bestimmen.

In 2+1 Dimensionen erhält man fraktale Muster der Stufenkanten im desorptionsbestimmten Regime. Eine Erklärung mit Hilfe einer Stabilitätsanalyse nach Bales und Chrzan [2] ist möglich.

[1] Europhysics Letters, 41(4):443–448, 1998

[2] Physical Review Letters, 74(24):4879–4882, 1995