Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.8: Poster

Montag, 27. März 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Blei auf Si(111): Widerstandsoszillationen beim Wachstum von ultradünnen Bleischichten bei tiefen Temperaturen — •O. Pfennigstorf, S. Aschemann, V. Borchers, A. Petkova, H.–L. Günter und M. Henzler — Universität Hannover, Institut für Festkörperphysik, Abteilung Oberflächen, Appelstraße 2, 30167 Hannover

Ein ideales zweidimensionales Elektronensystem wäre eine freischwebende metallische Monolage in Volumenstruktur. Um Schichten in möglichst guter kristalliner Ordnung herzustellen, wird das epitaktische Wachstum von Blei bei tiefen Temperaturen und dessen Auswirkung auf den elektrischen Widerstand untersucht. Beim Wachstum von ultradünnen Bleischichten auf Bleibasisschichten wurden in situ Widerstandsmessungen durchgeführt. Das Tieftemperaturwachstum bei etwa 15 K führt zu Oszillationen des Widerstandes in Abhängigkeit von der aufgedampften Schichtdicke. Dies kann mit Rauhigkeitsoszillationen der Oberfläche und dickenabhängigen elektronischen Effekten begründet werden. Aus der Änderung des spezifischen Widerstandes kann die Korrelationslänge berechnet werden. So ist es möglich, weitere Informationen über das Tieftemperaturwachstum von Blei zu erhalten. Untersucht wurde das Wachstum auf ausgeheilten Basisschichten unterschiedlicher Dicke und bei verschiedenen Temperaturen.

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