Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 15: Elektronische Struktur (I)
O 15.5: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 12:15–12:30, H37
Temperaturabhängige UPS-Messungen an Si(111) — •Ch. Bromberger, M. Koch, H. Kleine und D. Fick — Philipps Universität Marburg, Fachbereich Physik, Renthof 5, 35032 Marburg
In dem vorgestellten Experiment sollte die Änderung der Oberflächenbandstruktur am Si(111)7×7↔“1×1”-Phasenübergang untersucht werden. Dieser Phasenübergang findet bei einer Temperatur von ca. 1130 K statt. Soweit uns bekannt ist, wurden UPS-Experimente bisher nur auf der laser-anealed 1×1-Oberfläche durchgeführt. Diese Struktur ist nicht unbedingt mit der Hochtemperatur “1×1”-Phase vergleichbar. Bei der Untersuchung dieser Hochtemperaturphase mit UPS stellte sich das Problem von UPS-Messungen bei gleichzeitigem Heizen. Dies wurde durch abwechselndes Heizen und Messen in kurzen Takten gelöst.
Bei Zimmertemperatur zeigt die Si(111)7×7-Oberfläche im UP-Spektrum drei deutliche Oberflächenzustände S1, S2 und S3. Im Temperaturbereich zwischen Zimmertemperatur und der Phasenübergangstemperatur wurde eine unterschiedlich starke Intensitätsabnahme dieser drei Zustände beobachtet.
Am Phasenübergang wurde eine erhebliche Änderung der Bandstruktur beobachtet. Die Zustände S1 und S2 verschwinden am Phasenübergang vollständig, während ein neuer Zustand entsteht. Zur Untersuchung der kompletten Bandstruktur wurde dieser Zustand bei ca. 1200 K mit winkelaufgelöster Photoelektronenspektroskopie (ARUPS) genauer untersucht.
Dieses Projekt wird von der DFG unter Fi 311/11-1 gefördert.