Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 18: Epitaxie und Wachstum (III)

O 18.1: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 15:00–15:15, H36

Untersuchungen zur Oberflächenrekonstruktion des GaAs(001) und zur Epitaxie des Fe(001) mittels STM — •R. Moosbühler, F. Bensch und G. Bayreuther — Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg

Epitaktische Fe-Schichten besitzen auf unterschiedlich vorbehandelten GaAs(001)-Oberflächen jeweils verschiedene magnetische Eigenschaften, etwa verschiedene Curie-Temperaturen. Zur Klärung der Ursachen wurden GaAs(001)-Oberflächen und das Wachstum von Fe mittels Raster-Tunnelmikroskopie (STM) in situ untersucht.

GaAs(001)-Substrate wurden in einer Molekularstrahl-Epitaxie-Anlage durch Ar-Ionen-Ätzen und Heizen bis etwa 600 ^∘C vorbehandelt. Dabei entstehen atomar glatte Terrassen mit einer Ausdehnung von einigen 100 nm. Zudem bilden sich an der Oberfläche Domänen aus, die unterschiedlich rekonstruiert sind, wobei nur die (2×6)- und (4×2)-Rekonstruktionen großflächig auftreten. Die Flächenanteile der unterschiedlichen Rekonstruktionen hängen von der Heiztemperatur ab.

Auf derartigen Oberflächen wächst Fe bei Zimmertemperatur in Inseln mit einem Durchmesser von ca. 3 nm auf. Der Einfluss der Oberflächenrekonstruktionen auf den Ort der Keimbildung und den Prozess der Koaleszenz wird diskutiert.
Diese Arbeit wurde unterstützt vom BmbF (Fördernummer 13N7334/7).