Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 19: Epitaxie und Wachstum (IV)

O 19.9: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 18:15–18:30, H36

Wachstum von Pb-Schichten auf Si(111)7x7 Oberfläche bei tiefen Temperaturen — •A. Kadreva-Petkova, J.-S. Kim, O. Pfenningstorf, V. Borchers, J. Wollschläger, H.-L. Günter und M. Henzler — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, D-30167 Hannover

Pb-Schichten (4-5 Monolagen (ML)) wurden auf Si(111)7x7 bei tiefen Temperaturen aufgedampft und mit hochauflösender Elektronenbeugung (SPA-LEED) untersucht. Oszillationen des spekularen Reflexes zeigen, dass die Schichten auch bei 25K Lage-für-Lage wachsen. Die Morphologie dieses Systems Pb/Si(111)7x7 wurde im breiten Temperatur- (25K<T<300K) und Bedeckungbereich (bis 20ML) untersucht. Nach einer Monolage Pb wurde nur eine Änderung der Intensität der Siebtelreflexe, aber keine Pb-Inselreflexe beobachtet, d.h. Pb wächst in der Einheitszelle des Siliziums. Im Bedeckungbereich von 1ML bis 1.6ML Pb wurde ein zusätzlicher Ring nahe den Hauptbeugungsreflexen gemessen. Die Ringposition und die Halbwertsbreite ändern sich mit der Pb-Bedeckung, was durch eine Koaleszenz der Pb-Inseln in der zweiten Pb-Lage erklärt werden kann. Nach Aufdampfen von 2ML bei 25K wurden im gesamten untersuchten Bereich (E=20-500eV) weder der spekulare noch höhere Ordnung Beugungsreflexe beobachtet, was auf eine sehr starke laterale und vertikale Unordnung hinweist. Bringt man jedoch weiteres Pb auf, so rekristallisiert die Pb-Schicht und im LEED-Bild erkennt man, dass Pb in der Volumenstruktur in Schicht-auf-Schicht Modus wächst.