Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 20: Elektronische Struktur (II)
O 20.12: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 19:00–19:15, H37
Quantentopf-Zustände in dünnen Schichten von Aluminium auf Si(111) — •Lucia Aballe1, Celia Rogero1, Shubha Gokhale2 und Karsten Horn1 — 1Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Berlin — 2Department of Physics, University of Pune, Pune, Indien, and Fritz-Haber-Institut, Berlin
Quantentopf-Zustände in dünnen Metallschichten stellen ein interessantes "Labor" für die Anwendung grundlegender quantenmechanischer Konzepte dar [1,2]. Ihre direkte Beobachtung in der winkelaufgelösten Photoemission erlaubt unter anderem eine Untersuchung der Reflexion von Elektronenwellen an der Grenzfläche Halbleiter-Metall und Metall-Vakuum im Formalismus des sog. Phasenakkumulations-Modelles, sowie der parameterfreien Bestimmung der Bandstruktur des Metalles. Bisher wurden Quantentopf-Zustände fast ausschließlich in Edelmetall-Schichten beobachtet. Wir stellen hier derartige Zustände im System Al/Si(111) vor und zeigen, daß eine evtl. auftretende Grenzflächenreaktion deren Auftreten in den epitaktischen Al(111)-Schichten nicht verhindert. Wir beobachten Zustände bis zu hohen Schichtdicken und verfolgen deren Dispersion in der Oberflächen-Brillouinzone. Das Verhalten der Quantentopfzustände
bei Modifikation der Schicht durch Tempern bietet die M öglichkeit, die vor kurzem postulierte Wechselwirkung zwischen Morphologie und elektronischer Struktur (electronic growth) zu verfolgen.
1. J.J.Paggel, T.Miller, T.-C.Chiang, Science 283, 1709 (1999).
2. K.Kawakami et al., Nature 398, 132 (1999)