Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 20: Elektronische Struktur (II)
O 20.2: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 16:30–16:45, H37
Zur Theorie der Zweielektronenphotoemission von Oberflächen — •Jürgen Henk1, Natasha Fominykh1, Jamal Berakdar1, Patrick Bruno1, Herbert Gollisch2 und Roland Feder2 — 1Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Halle (Saale) — 2Theoretische Festkörperphysik, Universität Duisburg
Die theoretische Behandlung der Zweielektronenphotoemission (γ, 2e) von Oberflächen erfordert mehrere Zutaten: die numerische Berechnung der elektronischen Struktur des halbunendlichen Festkörpers basierend auf der Dichtefunktionaltheorie, Photoemissionstheorie im Einstufenmodell und ein Modell für die Korrelation innerhalb des angeregten Elektronenpaars (abgeschirmte Coulomb-Wechselwirkung).
Zunächst geben wir eine Übersicht der theoretischen Behandlung der Zweielektronenphotoemission von Oberflächen. Ausgehend vom grundlegenden Ausdruck für den Zweielektronenstrom leiten wir eine Näherung her, die es erlaubt, bestehende Computercodes für die gewöhnliche Einelektronenphotoemission (γ, e) in erweiterter Form für (γ, 2e) zu verwenden. Erste numerische Ergebnisse im Rahmen der relativistischen Schicht-KKR-Methode reproduzieren erwartete Trends.