Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 20: Elektronische Struktur (II)
O 20.9: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 18:15–18:30, H37
STM-Bilder von vergrabenen Übergangsmetallstrukturen — •S. Heinze1, R. Abt2, S. Blügel2, G. Gilarowski3 und H. Niehus3 — 1Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, 20355 Hamburg — 2Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich — 3Institut für Physik, Oberflächenphysik und Atomstoßprozesse, Humboldt–Universität zu Berlin, 10115 Berlin
Die Abbildung von Metalloberflächen mit dem STM zeigt nach der Lehrmeinung die elektronische Struktur und damit die Einheitszelle der Oberflächenatome, da Störungen im Kristall durch die Leitungselektronen effektiv abgeschirmt werden. Wir zeigen, durch die Kombination von STM und ISS-Experimenten mit ab initio Rechnungen, daß es doch möglich ist, vergrabene Strukturen auf atomarer Skala abzubilden [1].
Experimentell wurde das System Ir auf Cu(001) untersucht. Ir liegt als Funktion der Bedeckung entweder in Form von Einzelatomen oder Ketten in der Atomlage unterhalb der Oberflächenlage vor, d.h. Ir Strukturen sind von einer Lage Cu bedeckt. Erstaunlicherweise bildet das STM die Ir Atome ab. Wir erklären diesen Effekt auf Grund der berechneten elektronischen Struktur und zeigen seine allgemeinere Bedeutung durch Rechnungen für die gesamte 5d-Reihe und tiefer vergrabene Strukturen.
Die Rechnungen basieren auf der Dichtefunktionaltheorie in der lokalen Dichtenäherung welche mit der full-potential linearized augmented plane wave method (FLAPW) in Filmgeometrie durchgeführt wurden.
[1] S. Heinze, R. Abt, S. Blügel, G. Gilarowski, und H. Niehus, Phys. Rev. Lett. (Dez. 6, 1999).