Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 21: Oberflächenreaktionen (II)
O 21.4: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 17:00–17:15, H44
In-situ Untersuchungen der Erosion und D-Abstraktion durch atomaren Wasserstoff auf Si(111) — •Andreas Dinger — Experimentalphysik III, Universität Bayreuth, 95440 Bayreuth
Stationäres und instationäres Ätzen von Si(111) durch thermische Wasserstoffatome wurde in-situ im Temperaturbereich von 200 K bis 800 K untersucht.
Silan wurde hierbei als einziges Ätzprodukt gefunden.
Bedingt durch die Stabilität und den Zerfall der Oberflächen-Silyl-Gruppen erreicht die Ätzrate ihr Maximum bei 200K und nimmt mit steigender Temperatur ab. Das Maximum des instationären Ätzens, die Silan Desorption, liegt bei 600 K.
Die Abstraktionsreaktion von H-Atomen aus der Gasphase mit der D-bedeckten Si(111) Oberfläche wurde in-situ als Funktion der Deuteriumbedeckung im Bereich von 100 K bis 680 K untersucht.
HD und D2 wurden als Reaktionsprodukte gefunden.
Die Kinetik der Reaktion sowie die Produktion von D2 zeigen, dass es sich bei der Abstraktion nicht um einen Eley-Rideal Prozess, sondern um einen hot-atom Prozess handelt. Der Wirkungsquerschnitt der HD Bildung und die Menge an D2 variieren stark mit der Temperatur.