Regensburg 2000 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 25: Methodisches
O 25.13: Talk
Wednesday, March 29, 2000, 17:30–17:45, H45
Röntgenphotoelektronenbeugung an der (√3×√3)Sb/Si(111) — •M. Schürmann1, S. Dreiner1, C. Westphal2 und H. Zacharias1 — 1Physikalisches Institut, WWU Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, 48149 Münster — 2Universität Dortmund, Lehrstuhl für Experimentelle Physik I, Otto-Hahn-Straße 4, 44221 Dortmund
Die Struktur dünner Sb-Schichten auf Si(111) wurde schon häufig mit unterschiedlichen Methoden untersucht[1,2]. So ergibt sich z.B. bei einer Bedeckung von 0.9 - 1 ML eine √3×√3R30∘ Überstruktur, die von Sb-Trimeren auf der Si(111)-Oberfläche gebildet wird. An dieser Struktur wurden winkelaufgelöste Photoelektronenbeugungsexperimente durchgeführt. Das Beugungsbild der Sb3d-Elektronen (Ekin=720eV) wird hauptsächlich von Vorwärtsstreuvorgängen geprägt, die in Richtung interatomarer Achsen stattfinden. Durch Vergleich von Experimenten mit Vielfachstreurechnungen wurde überprüft, ob die gemessenen Beugungsbilder dennoch auch vom Substrat beeinflußt werden.
[1] H.B.Elswijk, D.Dijkkamp, E.J. van Loenen, Phys. Rev. B 44(8), 3802 (1991)
[2] C.Kim, D.A.Walko, I.K.Robinson, Surf. Sci. 388, 242 (1997)