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O: Oberflächenphysik

O 28: Oxide und Isolatoren (I)

O 28.1: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 11:15–11:30, H44

Beugung langsamer Elektronen an reinen und adsorbatbedeckten Isolatoroberflächen — •Jochen Vogt¹, Jörn Henning¹ und Helmut Weiss^1,2 — ¹Institut für Physikalische Chemie und Elektrochemie der Universität Hannover, Callin-Str. 3-3a, D-30167 Hannover — ²Chemisches Institut der Otto-von-Guericke-Universität, Universitätsplatz 2, D-39106 Magdeburg

Beugung langsamer Elektronen (LEED) an definierten, gespaltenen Isolator-Einkristallflächen ist praktisch zerstörungsfrei möglich, wenn Primärströme im (sub-) nA-Bereich verwendet werden. Nach Vorexperimenten mit einem SPALEED wurde jetzt ein bildverstärkendes, optisches LEED-System mit CCD-Kamera eingesetzt, um NaCl(001)- und KCl(001)-Spaltflächen zu untersuchen. Neben den reinen Flächen wurden verschiedene Physisorptionssysteme charakterisiert und ihre Beugungsmuster als Funktion von Temperatur, Belegung und Elektronenenergie gemessen; die Probenkühlung auf bis zu 18 K erfolgte über einen geschlossenen He-Kühlkreislauf. Aus der I(V)-Analyse der Beugungsreflexe scheint die Absolutbestimmung der Adsorptionsgeometrie möglich.