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O: Oberflächenphysik

O 28: Oxide und Isolatoren (I)

O 28.2: Talk

Thursday, March 30, 2000, 11:30–11:45, H44

Untersuchung der Eigenschaften von Farbzentren auf dünnen epitaktischen MgO-Schichten — •J. Kramer, W. Ernst, C. Tegenkamp und H. Pfnür — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, D-30167 Hannover

Mit Hilfe von EELS-Messungen wurden durch Elektronenbeschuß erzeugte Farbzentren auf einer dünnen epitaktischen MgO-Schicht auf Ag(100) untersucht. Zur Herstellung der Schichten wurde Mg in einer Sauerstoffatmosphäre verdampft. Die ausgeheilten Schichten wurden anschließend bei verschiedenen Temperaturen mit Elektronen der Energie 200eV beschossen.
Bei EELS-Messungen trat eine breite Verlustbande in der Bandlücke des MgO zwischen 1eV und 4eV auf. Diese kann ebenfalls bei Proben beobachtet werden, die durch unterstöchiometrisches Aufdampfen von MgO_1−y hergestellt wurden. Weiterhin nimmt die Konzentration der F-Zentren durch ein Angebot von Sauerstoff ab. Dies läßt den Schluß zu, daß es sich um Sauerstofffehlstellen an der Oberfläche von MgO, also Oberflächen-F-Zentren handelt. Der Wirkungsquerschnitt für den ESD-Prozeß ist im Vergleich zum NaCl sehr gering und liegt bei einer Schichtdicke von 20ML bei ca. 5·10⁻²¹cm². Bei der selben Dicke erreicht man eine Sättigungskonzentration an F-Zentren von ungefähr 9%. Erste sich anschliessemde Untersuchungen haben ergeben, daß eine Erzeugung von F-Zentren mittels Elektronen stimulierter Desorption erst ab einer Schichtdicke von ungefähr sechs Monolagen möglich ist.