Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 3: Epitaxie und Wachstum (I)

O 3.3: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 11:45–12:00, H36

Atomare Prozesse beim homoepitaktischen Wachstum auf Al(111) — •Henri Hansen, Carsten Busse und Thomas Michely — I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, 52056 Aachen

Das homoepitaktische Wachstum auf Al(111) ist das theoretisch bislang

vielleicht am gründlichsten untersuchte Schichtwachstumssystem. Durch

ab initio Rechnungen und kinetische Monte Carlo Simulationen wurden

Vorhersagen bezüglich der Energetik atomarer Prozesse, Inselformen

und Wachstummoden getroffen [1,2].

Im Vortrag werden die Bedingungen für Wachstumsexperimente definiert,

die es erlauben experimentelle Daten mit Simulationen zu vergleichen.

Insbesondere wird der Einfluß von Sauerstoffadsorption auf die

Keimdichte und Inselformen diskutiert.

Die unter nominell sauberen Depositionsbedingungen erzielten

Ergebnisse für die Aktivierungsenergie und Versuchsfrequenz der

Adatommigration sowie der Temperaturabhängigkeit der inselformen

werden mit den theoretischen Vorhersagen verglichen.

Darüberhinaus wird der Einfluß von zusätzlich zugeführten

energiereichen Ionen auf das Wachstumsverhalten demonstriert.

[1] S. Ovesson, Phys. Rev. Lett. 83, 2608 (1999)

[2] C. Ratsch, Surface Diffusion: Atomic anc Collective Processes,

Plenum press NY, (1997)