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O: Oberflächenphysik
O 37: Teilchen und Cluster
O 37.11: Talk
Friday, March 31, 2000, 13:45–14:00, H36
Elektronenemission von langsamen Ar17+ Ionen bei der Wechselwirkung mit einer Si Oberfläche — •Volker Hoffmann, Jan- Hauke Bremer, Martin Grether, Dagmar Niemann und Nikolaus Stolterfoht — Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin
Die Wechselwirkung langsamer Ar17+ Ionen mit einer Si
Oberfläche wurde mit der Methode der Elektronenspektroskopie
untersucht. Die kinetische Energie der auftreffenden Ionen wurde
zwischen 17 eV und 170 keV variiert. In den Spektren treten
deutliche Strukturen auf, die L- und K- Auger Übergängen im
hohlen Ar Atom zugeordnet werden können. Dieses bildet sich
nahe der Festkörperoberfläche durch Elektroneneinfang in die
äußeren Schalen. Die gemessenen Augerpeaks spiegeln die
Schalenstruktur und Besetzungsdynamik des hohlen Ar Atoms wieder.
Die Lage der Peaks ändert sich deutlich mit der
Projektilenergie. Der Vergleich mit Modellrechnungen gibt
Aufschluß über den Zerfallsort. Beim Auftreffen des
hohlen, hochangeregten Atoms auf den Festkörper, sind
Veränderungen der Oberfläche zu erwarten. Die Modifikation
der Si Oberfläche durch den Einfluß hohler Ar Atome wurde
mit Rastertunnelmikroskopie (STM) untersucht.