Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 8: Epitaxie und Wachstum (II)
O 8.10: Vortrag
Montag, 27. März 2000, 18:30–18:45, H36
Eisensilizid auf Si(113) und benachbarten Flächen — •Martin Kneppe, Volker Dorna, Evgueni Kot und Ulrich Köhler — Experimentalphysik IV, Ruhr-Universität Bochum, 44780 Bochum
Die Erzeugung glatter Schichten von Eisensilizid auf Silizium ist von besonderem Interesse in der Halbleitertechnik, z. B. als Bufferschicht für Magnet/Halbleiter Systeme. Da auf den hochindizierten Siliziumflächen Benetzungsprobleme bestehen, wurde CVD-Wachstum sowohl auf Si(113) als auch auf benachbarten Flächen im Temperaturbereich 400-600∘C in-situ mit Hilfe eines Hochtemperatur-RTM untersucht. Vergleichsmessungen mit MBE wurden herangezogen, um die Menge des deponierten Materials zu ermitteln und die Struktur der Silizide zu bestimmen. Alle untersuchten Flächen zeigen kettenartigen Strukturen in der ersten ML und anisotrope 3D-Inseln bei weiterem Wachstum. Zur Untersuchung des Einflußes der Haftkoeffizienten der verwendeten Gase sowie der Diffusion von Silizium aus der Unterlage wurde Fe und Si mit Hilfe von Fe(CO)5 und Si2H6 kodeponiert. Auf Si(113) führt dies zu lokal glatten Schichten, bestehend aus Kristalliten mit einem Winkel von 5∘ zum Substrat. Dieser Winkel entspricht ca. Si(5 5 12), weshalb Eisensilizide auch auf Substratflächen zwischen (113) und (5 5 12) untersucht wurden.