Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 9: Adsorption an Oberflächen (II)
O 9.8: Vortrag
Montag, 27. März 2000, 18:00–18:15, H37
Adsorbtion von Bi u. Sb auf Ge(113) untersucht mit Oberflächenröntgenbeugung und SPA-LEED — •A. Hirnet1, M. Albrecht1, M. Gierer1, B. Jenichen2 und W. Moritz1 — 1Institut für Kristallographie und Angew. Mineralogie d. Universität München, Theresienstr. 41, 80333 München — 2Paul Drude Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin
Das Wachstum dünner Halbleiterschichten kann durch die Adsorption von Metallen entscheidend verbessert werden. Im Gegensatz zu (001) und (111) Si- und Ge- Oberflächen ist bisher wenig über die Adsorption von Metallen auf Si u. Ge(113) bekannt. Die Struktur und die Morphologie dieser Systeme kann Hinweise geben ob und warum ein Adsorbatsystem als Surfactant wirkt. Aus diesem Grund haben wir die mit Sb und Bi bedeckten Oberflächen mittels Oberflächenröntgenbeugung (SXRD) und hochaufgelöster Beugung niederenergetischer Elektronen (SPA-LEED) untersucht. Die Überstrukturen wurden durch Aufdampfen des Adsorbats aus einer Knudsenzelle präpariert. Sb bildet dabei eine( 1x2)-Überstruktur. Dagegen wurden für Bi abhängig von der Bedeckung und der Temperatur eine (1x1), eine (1x4), eine (2x4) und eine inkommensurable Überstruktur gefunden. Die LEED-Bilder aller Bi-Überstrukturen weisen Streifen in [332]-Richtung auf, welche auf eindimensionale Fehlordnung in dieser Richtung hindeuten. Die Adsorbat bedeckten Oberflächen sind im Vergleich zur reinen Oberfläche rauher. Mit SXRD wurden die Strukturen der (1x2)-Sb und der (1x4)-Bi/Ge(113) Rekonstruktionen untersucht.