Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 9: Adsorption an Oberflächen (II)
O 9.9: Vortrag
Montag, 27. März 2000, 18:15–18:30, H37
Verspannung und Morphologie bei der Adsorption und Desorption von Sb auf Si(111) — •P. Kury1, P. Zahl1 und M. Horn-von Hoegen2 — 1Institut für Festkörperphysik, Uni Hannover — 2Institut für Laser- und Plasmaphysik, Uni-GH Essen
Die Adsorption von Fremdatomen auf Kristalloberflächen führt in der Regel zur Ausbildung einer
Oberflächenverspannung durch Bondverbiegung und -verlängerung in der
Grössenordnung von bis
zu 3eV/(1× 1) . Diese Verspannung hängt empfindlich von der Art des
Bindungsplatzes, der Rekonstruktion und der Ordnung der Adsorbatphase ab.
Sowohl Morphologie als auch Verspannung der Oberfläche wurden in-situ am Modellsystem Sb auf Si(111) studiert, u. z. mit der hochauflösenden Beugung niederenergetischer Elektronen
(SPA-LEED) und Surface Stress Induced Optical Deflection (SSIOD).
Dabei konnten die in den Arbeiten von Park et al. (Jap. Jour. of
appl. phys. pt. 1, 27(1):147-148, 1988) und Andrieu (Jour. of appl.
phys. 69(3):1366-1370, 1991) beschriebenen
bedeckungsabhängigen Rekonstruktionen (√3×√3), (2×
1), (1× 1), (5√3× 5√3) und (7× 7)
auch im Stressignal eindeutig unterschieden werden.