Regensburg 2000 – scientific programme
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SYGU: Grenzflächen zwischen unterschiedlichen Materialien
SYGU 1: Hauptvorträge
SYGU 1.6: Talk
Thursday, March 30, 2000, 12:30–12:45, H4
Untersuchung der elektronischen Struktur von Metall/Keramik-Grenzflächen am Beispiel von Cr- und Ni-Filmen auf SrTiO-0.5ex3 — •K. van Benthem, C. Scheu, W. Sigle und M. Rühle — Max–Planck–Institut für Metallforschung, Seestraße 92, 70174 Stuttgart.
Die lokale elektronische Struktur an Metall/Keramik-Grenzflächen beeinflußt sowohl die elektronischen als auch die mechanischen Eigenschaften des Metall/Keramik-Verbundes [1]. Im Vortrag werden erste Ergebnisse an den Modellsystemen Ni/SrTiO3 und Cr/SrTiO3 vorgestellt.
Die atomistische Grenzflächenstruktur wurde mit Hilfe der hochauflösenden Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM) untersucht. Die symmetrieprojizierte lokale unbesetzte Zustandsdichte (LDOS) von Leitungsbandzuständen ist proportional zu den Intensitäten der kantennahen Feinstrukturen in Elektronen-Energieverlustspektren (ELNES). Diese wurden zur Ermittlung der elektronischen Eigenschaften der Grenzflächen in einem dedizierten Rastertransmissionselektronenmikroskop (STEM) mit hoher lateraler Auflösung gemessen.
Die HRTEM zeigt in beiden Fällen epitaktisches Wachstum auf der {100} SrTiO3 Oberfläche. Eine quantitative Auswertung der ELNES-Strukturen ermöglicht eine Analyse der Metall/Keramik-Bindungsverhältnisse. Die experimentellen Ergebnisse werden mit ab-initio Bandstrukturberechnungen [2] der Grenzflächen-LDOS verglichen.
[1] D.M. Hill et al.: J. Appl. Phys. 65, 4943-4950 (1989).
[2] T.Ochs, S.Köstlmeier und C.Elsässer, in Vorbereitung.