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SYGU: Grenzflächen zwischen unterschiedlichen Materialien
SYGU 2: Hauptvorträge
SYGU 2.1: Invited Talk
Thursday, March 30, 2000, 15:15–15:45, H4
Struktur- und Phasenbildung an Halbleitergrenzflächen — •Michael Seibt — IV.Physikalisches Istitut der Universität Göttingen und SFB345, Bunsenstr.13-15, D-37073 Göttingen
Die atomare Struktur von Heterogrenzflächen vermittelt zwischen derjenigen der angrenzenden Festkörper. Mit dem Auftreten grenzflächenspezifischer Strukturen ist die Frage verknüpft, in welcher Weise Atomanordnungen an Grenzflächen die an ihnen ablaufenden Prozesse Festkörperreaktionen bestimmen. Zur Modellierung und gezielten Beeinflussung derartiger Vorgänge ist es notwendig, Grenzflächenstrukturen auf quasi-atomarer Skala zu ermitteln und mit den beobachteten Reaktionsabläufen in Verbindung zu bringen. Dieser Vortrag fasst Ergebnisse derartiger Untersuchungen zusammen, die vorwiegend mittels moderner Techniken der Transmissionselektronenmikroskopie an Halbleitergrenzflächen gewonnen wurden. Es werden Beispiele zur Bildung metastabiler Silizide aus übersättigten Lösungen und in Vielfachschichten vorgestellt, bei denen sowohl die Reaktionspfade als auch die Reaktionsprodukte eine direkte Folge der atomaren Grenzflächenstruktur sind. Ferner wird ein neuer Zugang zur Messung langreichweitiger Korrelationen in Grenzflächen zwischen amorphen und kristallinen Festkörpern anhand von a-Si/c-Si- und a-SiO2/c-Si- Grenzflächen vorgestellt.