Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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SYIS: In-situ-Charakterisierung von Schichtabscheideprozessen

SYIS 1: In-Situ-Charakterisierung: Plasmaanalytik

SYIS 1.1: Hauptvortrag

Montag, 27. März 2000, 14:00–14:45, H 32

Die optische Plasmaspektroskopie zur Stabilisierung und Steuerung von reaktiven Sputterprozessen — •V. Kirchhoff — Fraunhofer-Institut für Elektronenstrahl und Plasmatechnik Winterbergstrasse 28, 01277 Dresden

Die Abscheidung von Verbindungsschichten mittels der reaktiven Magnetronentladung ist für die Großflächenbeschichtung ein wichtiges Verfahren.
Für die Stabilität des Prozesses ist der Einfluß des reaktiven Arbeitsgases auf die Bedeckung der Targetoberfläche von entscheidender Bedeutung. Der Bedeckungsgrad der Targetoberfläche beeinflußt die erzielbare Beschichtungsrate und die Zusammensetzung der abgeschiedenen Schicht. Seit einigen Jahren wird die In-situ-Messung der Intensität der optischen Emission des Plasma genutzt, um Informationen über den Zustand der Targetoberfläche zu erlangen. Mit Hilfe dieser Messung und entsprechenden Regelkreisen ist es möglich, den Targetzustand zu steuern und damit den Beschichtungsprozeß über viele Stunden stabil zu halten. Besonders wichtig ist es, die richtigen Informationen aus dem Plasma zu selektieren. Bei großen Magnetronanordnungen mit Targetlängen von bis zu 4 m ist es erforderlich die Intensität der optischen Emission des Plasmas an mehreren Orten zu messen. Durch die Kombination dieser Prozeßstabilisierung mit einer In-situ-Messung der Schichteigenschaften, wird es möglich, große Beschichtungslinien effektiv zu betreiben.