Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

SYIS: In-situ-Charakterisierung von Schichtabscheideprozessen

SYIS 2: In-Situ-Charakterisierung: Modellbildung

Montag, 27. März 2000, 15:45–17:15, H 32

15:45 SYIS 2.1 Hauptvortrag: Untersuchungen zum Energieeinstrom bei der plasmagestützten Schichtabscheidung — •H. Kersten, M. Otte, D. Rohde, H. Deutsch und R. Hippler
16:30 SYIS 2.2 Hauptvortrag: Modellierung und Experimente zu elementaren Wachstumsprozessen in Niederdruckplasmen — •A. von Keudell
100% | Bildschirmansicht | English Version | Kontakt/Impressum/Datenschutz
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2000 > Regensburg